大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于mojay的问题,于是小编就整理了3个相关介绍mojay的解答,让我们一起看看吧。
ic电气代表哪个厂家?
ic是全球著名电气公司伊顿发布的新的本安等级,是在ia,ib之后的第三种本安型防爆等级,国产电源管理芯片厂商主要包括茂捷(Mojay)、矽力杰、晶丰、士兰微、芯朋微、东科、比亚迪、富满、瑞之辰、芯龙、航天民芯、拓微、微盟、贝岭、天源等。
什么是MOS管四大选取法则!MOS管该如何选取?
《泰德兰电子》提供AOS美国万代功率MO***ET的型号选型及应用问题分析以及mojay茂捷的AC-DC,torex特瑞仕的DC-DC电源IC/霍尼韦尔(Honeywell)方案型号推荐---什么是MOS管四大选取法则!MOS管该如何选取?
答:怎么选择MOS管是新手工程师们经常遇到的问题,了解了MOS管的选取法则,那么工程师们选择的时候就可以通过这些法则去选取所要的MOS管了,从而让整个电路工作能顺利进行下去。不会因为MOS管的不合适而影响后面的各项工作和事宜。下面总结出如何正确选取MOS管的四***则。
法则之一:用N沟道orP沟道
选择好MOS管器件的第一步是决定***用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应***用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中***用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
法则之二:确定MOS管的额定电流
该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
法则之三:选择MOS管的下一步是系统的散热要求
须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议***用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。
法则之四:选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能
影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。
MOS管和IGBT管的定义是什么?怎么辨别呢?
答:MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件,因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很,有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍!
MOS管
MOS管即MO***ET,中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性,输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。
IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管,是MOS管与晶体三极管的组合,MOS是作为输入管,而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大,因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。
综上所述的两种晶体管,是目前电子设备使用频率很高的电子元器件,两者在外形及静态参数极其相似,某些电子产品是存在技术垄断,在电路中有时它们的型号是被擦掉的,截止目前,它们在命名标准及型号统又没有统一标准,而外型及管脚的排列相似,根本无规律可循,成为维修过程中的拦路虎,如何区分和判断成为必要手段。
MOS管和IGBT管的辨别
带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管的识别
带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管它们的栅极位置一样,IGBT管的C极位置跟MODS管的D极位置相对应,IGBT管的e极位置跟MODS管的S极位置相对应,对它们的好坏判断及及区分可以用动静态测量方法来完成。
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